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有機材料

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シンタリングペースト

シンタリングペーストの特徴

銀焼結によるシンタリングネットワーク形成により高い接合性

・高熱伝導性(200W/mK)
・独自の樹脂分散システムによる高耐熱・高信頼性

 (250℃高温下でも高い信頼性を発揮)

銀焼結によるシンタリングネットワーク形成

シンタリングペーストの作業性

・無加圧接合プロセス
・各種印刷方式に対応
・長い可使時間
・簡単な接合厚制御

シンタリングペーストの用途

シンタリングペーストの用途

・高温鉛はんだ代替
・EHV用IGBTs
・高周波デバイス
・高性能LED
・次世代パワーデバイス(SiC,GaN)

低温シンタリング接合の特徴

低温シンタリング接合の特徴

200℃で信頼性の高い金属結合形成

高熱伝導特性 >200W/mK

樹脂分散システムの特徴

樹脂分散システム

 ・大型素子でもボイドレス化を実現
 ・低弾性率化による高応力緩和能

接続信頼性試験

熱抵抗変化Z(冷熱サイクル試験)グラフ

試験条件

PKG QFP208, チップ(BM:Au) 6.0x6.0x0.4mm, LF Ag/Cu

前処理 MSL1/260℃x10sx3, TCT-55℃/150℃

せん断強度変化(高温放置)

試験条件

チップ(BM:Au) 4.0x4.0x0.3mm, LF PPF, 測定温度 260℃

一般特性(代表値)

特性 単位 評価条件 CT2700R7S
粘度@25℃ Pa・s 0.5min.-1 100
チクソ - 0.5min.-1/5min.-1 7
ペースト密度 g/cm3 - 5.5
不揮発分 wt% 180℃ x120min. 90.8
Ag含有率 wt% 300℃ x180min. 99.4
硬化物比重 g/cm3 - 10
保管温度 - - 冷凍保存(-15~-40℃)
硬化条件 (箱形乾燥炉) - 大気雰囲気下 200℃x90min.
- 不活性ガス雰囲気下 250℃x90min.
タックフリータイム hrs - 12
熱伝導率 W/mK レーザーフラッシュ法 200
チップサイズ mm - 0.3x0.3 - 12x12
弾性率@25℃ GPa DMA 21.6
せん断強度@260℃ Ag plated Cu/4x4mm Au Die MPa 大気雰囲気下硬化 >30
MPa 不活性ガス雰囲気下硬化 28

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