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| 基板設計 |
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| Q1 |
試作時の簡単な検討だけで量産を開始したところ不発振トラブルが多発してしまいました。 |
| A1 |
量産基板では一般的に基板ストレー容量が増加しますので負性抵抗が減少します。負性抵抗が非常に小さな水晶発振回路では水晶振動子の負荷時共振抵抗より回路の負性抵抗が小さくなると発振が起こらなくなります。もともと負性抵抗が小さ過ぎた可能性がありますので、回路定数の変更によって負性抵抗が十分な値になるように改善されることをお奨めします。 |
| Q2 |
時計用の 32.768kHz水晶振動子と IC 間の距離を 10cm程度離して基板を設計したら発振が起こらなくなってしまいました。それぞれの基板パターンは並行で接近しています。 |
| A2 |
インバーター発振回路ではIN、OUTの発振波形は逆相です。ご設計された基板では基板パターン同士のストレー容量によって発振部のゲインが極端に低下して発振が起こらなくなっています。改善するためには基板パターン同士のストレー容量を最小にするためにパターン変更が必要です。水晶発振回路の構成部品を2cm以内の範囲に配置することで改善される可能性があります。 |
| Q3 |
受信機に使用する 80MHz帯のローカル発振回路で ICから 3cmほど離れたところに水晶振動子を搭載して量産していますが不発振のトラブルによる良品率が 50％以下です。 |
| A3 |
低電圧で動作する高周波発振回路では十分な負性抵抗が得られない傾向がありますが、基板パターンの引き回しを長くすると負性抵抗が更に減少してしまい水晶振動子の共振抵抗値より小さくなると発振が起こらなくなる場合があります。水晶振動子と発振回路をつなぐ基板パターン長を最短にすることで不具合が改善される可能性がありますが−150Ω以上の負性抵抗が得られるように回路定数などの変更が必要かもしれません。 |
| Q4 |
多層基板で発振部直下の層にシールド目的で面グランドを設けましたが時々発振しない場合があります。 |
| A4 |
水晶発振回路を面グランドでシールドするとストレー容量の増加により負性抵抗が減少して最悪の場合は発振が起こらなくなります。特に ゲインの過大なC-MOSインバーター発振回路などでは入出力電圧が安定的な状態を保とうとする傾向が強くなるため発振が起こりにくくなります。このような場合は発振回路が搭載された層から一番離れた層にベタグランドを設けるように変更するとストレー容量が減少するため不発振の不具合を防止することができます。
発振波形は他の信号により変調を受けますので発振回路以外の信号線を接近させてはいけません。他の信号線は水晶発振回路の下層を通過しないように基板変更することで他の信号による変調を防止することができます。 |
| Q5 |
多層基板で発振部直下の層に他の信号ラインを配置していますが発振波形にノイズがのっています。 |
| A5 |
水晶発振回路を面グランドでシールドするとストレー容量の増加により負性抵抗が減少して最悪の場合は発振が起こらなくなります。特に ゲインの過大なC-MOSインバーター発振回路などでは入出力電圧が安定的な状態を保とうとする傾向が強くなるため発振が起こりにくくなります。このような場合は発振回路が搭載された層から一番離れた層にベタグランドを設けるように変更するとストレー容量が減少するため不発振の不具合を防止することができます。
発振波形は他の信号により変調を受けますので発振回路以外の信号線を接近させてはいけません。他の信号線は水晶発振回路の下層を通過しないように基板変更することで他の信号による変調を防止することができます。（※Q4の回答と同じ内容です。） |
| 回路設計 |
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| Q1 |
インバーター発振回路で74HC04を使って回路設計していますが水晶振動子の周波数以外の周波数で発振してしまいます。 |
| A1 |
74HC04などのインバーターはゲインが60dB程度有るため水晶発振回路には使用できません。多くの場合に水晶振動子固有の周波数とは無関係で非常に不安定な自励発振が起こります。水晶発振回路の発振に適したアンバッファータイプの74HCU04に変更すると正常に発振するようになります。 |
| Q2 |
帰還抵抗はなぜ必要なのですか？ |
| A2 |
水晶振動子はインバーターなどのデジタル反転素子と組み合わせただけでは発振させることができません。
帰還抵抗Rfはデジタル的に反転動作をするインバーターをアナログ反転増幅器として使用できるようにするための素子で、この抵抗を接続すると動作点がVdd/2付近に自己バイアスされます。サブクロックの32.768kHzの場合は10MΩを使いますが数MHz〜数十MHzの発振回路では1MΩを使用します。 |
| Q3 |
帰還抵抗の役割はなんですか？ |
| A3 |
水晶振動子はインバーターなどのデジタル反転素子と組み合わせただけでは発振させることができません。
帰還抵抗Rfはデジタル的に反転動作をするインバーターをアナログ反転増幅器として使用できるようにするための素子で、この抵抗を接続すると動作点がVdd/2付近に自己バイアスされます。サブクロックの32.768kHzの場合は10MΩを使いますが数MHz〜数十MHzの発振回路では1MΩを使用します。（※Q2の回答と同じ内容です。） |
| Q4 |
ダンピング抵抗Rdはどのような場合に使いますか？ |
| A4 |
インバーター発振回路で10MHz未満の基本波モードの水晶振動子を発振させる場合にオーバートーン発振を予防するために使用します。発振させようとする周波数の負性抵抗に対して3倍の周波数帯の負性抵抗が1/5以下であればダンピング抵抗は不要です。
その他に小型水晶振動子の励振電力を少なくして発振周波数を安定させる目的で使われます。 |
| Q5 |
電流制限抵抗Rxはなぜ必要なのですか？ |
| A5 |
水晶振動子に流れる励振電流が大きくなると発振周波数が不安定になるとともに周波数温度特性に歪を発生します。励振電力が水晶振動子カタログの許容値を超える水晶発振回路ではRxを使用しますが効果が不十分な場合はRdを併用します。
主にサイズが5×3.2mm以下で16MHz以上の小型SMD水晶振動子を発振させる場合に励振電力を抑制するために使われますが、出力レベルが低下するため十分な出力レベルがあることを確認してください。 |
| Q6 |
LSIのハードウェアマニュアルにはインバーター発振回路に10〜22pFのコンデンサを使うように書かれていますがどのような値が良いのでしょうか？ |
| A6 |
ご使用いただく水晶振動子の負荷容量にあわせてこれらのコンデンサを次のように決定します。
水晶振動子の負荷容量＝8pFの場合は10pFのコンデンサ
水晶振動子の負荷容量＝12pFの場合は18pFのコンデンサ
をお奨めします。
負性抵抗優先型の発振回路を設計する場合で＋300×10-6程度の周波数オフセットが許容される場合は8〜10pFのコンデンサを使用すると負性抵抗が大きくなりますが、サードオーバートーンも発振しやすくなるので3倍の周波数における負性抵抗が、発振させようとする周波数の負性抵抗と比べて1/5以下であることを確認しておく必要があります。 |
| Q7 |
C-MOSインバーター発振回路のCx1とCx2は異なる値にしても大丈夫ですか？ |
| A7 |
Cx1とCx2が3pF以上であれば、それらのコンデンサは同じ値である必要はありません。これらのコンデンサを3pF以下にすると充放電される電荷量が減るため振幅電圧が低下してしまい、LSIが必要とする端子電圧が得られなくなる場合がありますので確認しておきましょう。LSIの発振回路が十分に大きな負性抵抗を持ち安定して発振しているにも係わらずLSIのロジック回路が動作しないなどの不具合が起こりますので注意しなければなりません。 |
| Q8 |
Cx1やCx2のコンデンサはICの端子近くに配置するほうが良いのでしょうか？ |
| A8 |
これらのコンデンサは水晶振動子の電極に発生する電荷を充放電して水晶振動子の振動を安定させることと、水晶発振回路の負荷容量のほとんどを占め発振周波数を決定する役割を持っていますので水晶振動子の端子の直近に配置する必要があります。また、コンデンサのGND側はLSIの発振部のGNDに最も近くなるように配線します。 |
| Q9 |
メインクロックの回路定数でサブクロック用音叉型振動子を発振させることができますか？ |
| A9 |
MHz帯のメインクロックの回路定数では32.768kHzの音叉型振動子を発振させることはできません。一般的な回路定数はRf＝10MΩ、Rd＝330kΩ、Cx1＝Cx2＝8〜12pFですが、励振電力が過大ですと水晶振動子内部の水晶片が破損するトラブルが起こりますので回路検討を実施して適正な励振電力で動作する事をご確認してからご使用願います。 |
| 発振起動 |
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| Q1 |
発振回路のICが頻繁に破損します。 |
| A1 |
インバーター発振回路のIC内部の入力部分に電源回路に対して保護ダイオードが内蔵されていないICの場合は発振している時の入力端子電圧が電源電圧を超える場合がありますので、発振アンプのゲートに許容値以上の電圧が加わり破壊します。Cx1をCx2に比べて小さな値に変更してCx1に充放電される電荷量を減少させると入力端子電圧を低下させる事が可能です。
74VHCU04は20MHz以上の発振に最適な特性が得られるように設計されているため入力端子と電源間に保護ダイオードが内蔵されていません。このようなICで低い周波数を発振させると入力端子の発振電圧の最大値が電源電圧を超えてしまうのでICを破壊させてしまいます。10MHz未満の発振には4069UBが最適です。 |
| Q2 |
74VHCU04を使用して5MHz帯の水晶振動子を発振させていますがICが頻繁に壊れます。 |
| A2 |
インバーター発振回路のIC内部の入力部分に電源回路に対して保護ダイオードが内蔵されていないICの場合は発振している時の入力端子電圧が電源電圧を超える場合がありますので、発振アンプのゲートに許容値以上の電圧が加わり破壊します。Cx1をCx2に比べて小さな値に変更してCx1に充放電される電荷量を減少させると入力端子電圧を低下させる事が可能です。
74VHCU04は20MHz以上の発振に最適な特性が得られるように設計されているため入力端子と電源間に保護ダイオードが内蔵されていません。このようなICで低い周波数を発振させると入力端子の発振電圧の最大値が電源電圧を超えてしまうのでICを破壊させてしまいます。10MHz未満の発振には4069UBが最適です。（※Q1の回答と同じ内容です。） |
| Q3 |
LSI内蔵の発振回路で時々発振が起こらなくなる場合があります。水晶振動子の端子をピンセットやオシロスコープのプローブで触れると発振を開始し、それらを離しても発振は止まりません。 |
| A3 |
水晶振動子の発振開始条件は「水晶振動子の端子間に直流電圧が加わる」ことです。帰還抵抗が接続されたC-MOSインバーター発振回路では、IN端子とGND間及びOUT端子とGND間にマルチメーターを接続して電圧測定をすると殆どの場合に入出力端子間に電位差を持つように作られていますが、製造ばらつきや元々の設計で入出力間の電位差が1〜2mV以下になる場合は水晶振動子の起動条件を満足しません。このようなICを使用する場合は入力端子を10MΩ程度の高抵抗でプルダウンすると入出力間に電位差が発生して水晶振動子の起動条件を満足させることが出来ます。
入出力間の電位差は最適定数を接続し水晶振動子を取り除いた状態で発振回路の電源をONにし、水晶振動子の接続端子とGND間の電圧をマルチメーターで測定して差を計算することで求められます。
電位差とは別の原因ですが、水晶振動子とLSIをつなぐ基板パターンを平行に長く引いていませんか？
この場合にゲインの大きなLSIを使用すると直流的に安定した状態を保とうとするので起動しにくくなります。上記と同じようにプルダウンなどで起動しやすくなりますが恒久的な対策は基板パターンの短縮です。 |
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| Q4 |
27MHzの基本波発振回路に C-MOS ICの 4069UBを使用していますが発振しない場合があります。 |
| A4 |
4069UBは10MHz以上の周波数帯では十分なゲインを持っていないため水晶振動子を発振させるための負性抵抗を得ることができません。ICを 20MHz以上の発振回路に適した74VHCU04に変更することで改善されます。
C-MOS IC のオープンループゲインやトランジスタのhfeは周波数特性を持っていて回路定数とのマッチング状態にも影響されますが、発振させたい周波数帯に特性がマッチングしていない場合には十分な負性抵抗を得ることができません。C-MOS 発振回路では低い周波数帯の発振に適した ICで高い周波数を発振させる事は不可能ですし、高い周波数帯の発振に適した ICで低い周波数帯の水晶振動子を発振させる場合は三倍の周波数で発振させないように Rd等を使用しなければなりません。 |
| Q5 |
トランジスタ発振回路で不発振のトラブルが頻繁に起こります。 |
| A5 |
ご使用されているトランジスタのhfeは十分ですか？
トランジスタ発振回路の負性抵抗値はトランジスタの hfeが支配的ですので hfeの小さなトランジスタを使用すると、それらのばらつきにより不発振になる場合があります。 一般的には hfe が 250〜300 程度でfTが発振させようとする周波数の3倍以上の高周波用トランジスタを使用すると安定発振するようになります。
バイアス電圧は最適ですか？
トランジスタ発振回路はバイアス電圧によって負性抵抗が変化しますがバイアス電圧が最適になる様に設計されなければ負性抵抗が減少します。 |
| Q6 |
水晶振動子の励振電力を小さくする目的で、IN側のコンデンサを大きくOUT側のコンデンサを2pFにしていますが発振回路は十分な負性抵抗があるのにロジック回路が動作しません。 |
| A6 |
出力側のコンデンサを小さな値にした事で、このコンデンサに充放電する電荷が少なくなりコンデンサに現れる発振振幅電圧が低下するとロジック回路との間にあるバッファーを動作させる事ができません。バッファーが動作できる振幅になるように出力側のコンデンサを大きな値に変更すると不具合は改善されます。
水晶振動子の励振電力を下げる方法はコンデンサの値をアンバランスにする方法やRxを使う方法やRdを併用する方法があります。最も効果的な方法はRxの使用ですが他の方法と併用する場合もあります。何れも十分な負性抵抗が得られていることを確認しながら変更しなければなりません。
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| Q7 |
60MHz帯のオーバートーン発振回路で面実装タイプの水晶振動子のケースをグランドに接続して使用したら発振が止まってしまいました。 |
| A7 |
これはもともと負性抵抗が小さな回路で発生しやすい不具合例です。対策として回路定数や基板パターン及びトランジスタやC-MOSインバーター等の発振用の素子を十分な負性抵抗が得られるように変更する必要があります。 |
| 励振レベル |
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| Q1 |
32.768kHz音叉型振動子を使用した発振回路の電源をONにすると水晶振動子内部で一瞬だけ小さな音がして発振が起こりません。 |
| A1 |
音叉型振動子はMHz帯ATカットの厚みすべり振動モードの水晶振動子とは異なる屈曲振動モードで振動します。音叉型振動子は許容値を超えた励振電力で動作させると内部の水晶片が破壊されます。330kΩ程度のダンピング抵抗Rdを使用して励振電力を低減して水晶振動子の破壊を予防しましょう。励振電力の測定を水晶振動子メーカーに依頼して許容値を超えていないことを確認しておく事をお奨めします。 |
| Q2 |
出荷時は発振していますが出荷後、数年以内に32.768kHzの水晶発振回路が突然停止して発振しなくなります。 |
| A2 |
音叉振動子はMHz帯ATカットの厚みすべり振動モードの水晶振動子とは異なる屈曲振動モードで振動します。音叉振動子は許容値を超えた励振電力で動作させると内部の水晶片が破壊されます。330kΩ程度のダンピング抵抗Rdを使用して励振電力を低減して水晶振動子の破壊を予防しましょう。励振電力の測定を水晶振動子メーカーに依頼して許容値を超えていないことを確認しておく事をお奨めします。（※Q1の回答と同じ内容です。） |
| Q3 |
MHz帯の水晶発振回路の周波数温度特性を測定したのですが、3次曲線が発振回路毎に異なる大きな歪を持っています。 |
| A3 |
水晶振動子が過励振で動作していることによって温特歪や周波数のジャンプが発生しているものと推測されます。励振電流制限抵抗Rxやダンピング抵抗Rdを使用するなどして励振電力を許容値以下に低減すると特性は改善される事でしょう。 |
| Q4 |
MHz帯の水晶発振回路の発振周波数がそれぞれ異なる温度で微小なジャンプをして、そのときにLSIがデータエラーを起こします。 |
| A4 |
水晶振動子が過励振で動作していることによって温特歪や周波数のジャンプが発生しているものと推測されます。励振電流制限抵抗Rxやダンピング抵抗Rdを使用するなどして励振電力を許容値以下に低減すると特性は改善される事でしょう。（※Q3の回答と同じ内容です。） |
| 出力レベル |
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| Q1 |
C-MOSインバーター発振回路の入力側からバッファーを介して出力を取り出す回路で発振出力が得られない場合があります。 |
| A1 |
C-MOSインバーター発振回路の入力側に他のインバーターを直接接続するとほとんどの場合に発振部のバイアス電圧が変化して負性抵抗が減少します。このような場合にはカップリングコンデンサを介して発振出力を取り出すように変更すると悪影響を少なくできます。
また、インバーターの出力側から発振出力を取り出している水晶発振回路では負性抵抗が小さな場合やCx1やCx2のコンデンサ容量が小さ過ぎる場合やRdが大き過ぎる場合には出力レベルが低下してバッファーアンプを駆動する事ができなくなることがあります。これは経年変化によってICのゲインが減少して突然発生する場合もあります。
マイコンのサブクロックに使われる32.768kHzなどの高インピーダンスの水晶振動子が使われた発振回路の出力端子に入力インピーダンスの低いバッファーアンプを接続すると、発振回路は動作していても振幅レベルが低下して出力信号が得られなくなる場合があります。
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| 発振周波数 |
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| Q1 |
C-MOS発振回路に 74HC04を使用していますが水晶振動子の周波数と無関係の不安定な周波数で発振してしまいます。 |
| A1 |
バッファータイプのインバーターICは 60dBもの大きなゲインを持つためほとんどの場合に自励発振を引き起こしますので水晶発振回路には絶対に使用できません。お使いの74HC04もバッファータイプですので水晶振動子固有の周波数とは無関係の周波数で自励発振を起こしているものと思います。ICをアンバッファータイプの 74HCU04に変更することで正常に発振するようになるでしょう。このICはアンバッファータイプでゲインが約 20dBですので水晶発振回路に適しています。 |
| Q2 |
負荷容量の大きな C-MOSインバーター発振回路を設計したところ発振が起動しない場合があります。 |
| A2 |
C-MOSインバーター発振回路では水晶端とグランド間に接続するコンデンサの値が負荷容量の大部分を占めています。このコンデンサの値を大きくすると発振回路の負荷容量は大きくなりますが負性抵抗が減少して不発振などの不具合が発生します。C-MOSインバーター発振回路の負荷容量は 8〜12pFの範囲に設計することをお奨めします。 |
| Q3 |
6MHz基本波 C-MOS発振回路で 74HCU04を使用したら時々3倍の周波数が出力されます。 |
| A3 |
水晶振動子は時々3次オーバートーンで発振しています。発振用の ICには周波数特性があり 74HCU04などを 10MHz以下の発振に使用するとオーバートーン発振する場合がありますので、発振させようとする周波数帯に合う 4069UBに変更すると改善されるでしょう。この不具合は3次オーバートーン周波数の負性抵抗を測定し、この値が発振させようとする周波数帯の負性抵抗に比べて十分に小さ1/5以下になるように回路定数を調整することで予防できます。C-MOSインバーター発振回路などでは Rdの使用が効果的です。この特性の簡単な確認方法は、15〜20mm 程度のリードのついた水晶振動子を基板に搭載し 2本のリードを同時に指でつまんで電源を入れ、3次オーバートーン発振に移行しなければ、ほぼ不具合は発生しません。 |
| Q4 |
5次オーバートーンで 85MHzに設計された水晶振動子を使用したトランジスタ発振回路が51MHz付近で発振してしまいます。 |
| A4 |
この不具合例ではエミッタ側の LC 共振周波数が基本波（17MHz）と 3次オーバートーン（51MHz）の間に設定されていた為に 3次オーバートーンの 51MHzで発振してしまい目的とする 5次オーバートーンで発振不可能な状態にあります。エミッタ側の LC 共振周波数を 5次オーバートーン周波数の 85MHzと 3次オーバートーン周波数 51MHzの中間になるように設定すると正常な 5次オーバートーンの 85MHzの発振が得られます。 |
| Q5 |
VCXOで制御電圧を変化させると一定の電圧範囲で発振周波数が不安定になります。不具合の発生する制御電圧は個々の水晶振動子により異なります。 |
| A5 |
基本波発振回路で発振周波数帯 fL1〜fL2の 3倍の周波数 3fL1〜fL2や 5倍の 5fL1〜fL2にオーバートーンやそのスプリアス等の振幅特性が有ると基本波の発振周波数に影響を与えます。
一般的に、発振回路の負荷容量値が直列（∞）で frに等しい周波数で動作させた場合のオーバートーン周波数は、基本波の 3倍や 5倍の周波数に対して高い周波数にあります。水晶振動子に小さな値の負荷容量を接続すると、周波数上昇率はオーバートーンモードに比べて基本波の方が大きいので、負荷容量の値によっては基本波の周波数可変領域の 3倍や 5倍の周波数にオーバートーンモードやそれらの高調波が合致してしまう場合があります。VCXOでは制御電圧を変化させて負荷容量を変化させることにより発振周波数を変化させますので、負荷容量の小さな VCXOでは一定の電圧範囲で不具合となる場合があります。この特性は個々の水晶振動子や発振回路によりばらつきが有りますので、同一規格で量産された VCXOが常に一定の制御電圧で不具合になるとは限りません。不具合は VCXOの負荷容量を大きめな値に変更することで改善が可能です。 |
| 測定 |
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| Q1 |
C-MOS発振回路の波形を測定しようとすると発振が停止します。 |
| A1 |
水晶発振回路はプローブの入力インピーダンスと入力容量の両方の影響を受けます。
C-MOSインバーター発振回路の入力端子電圧は数MΩのインピーダンスを持っていますので10MΩより小さな入力インピーダンスのプローブをIN端子に接触させるとプルダウンされて発振停止や振幅レベルの減少が起こります。
C-MOSインバーター発振回路の発振波形を測定する為にはP6202AやP6204などの10MΩの入力インピーダンスで入力容量が2pF未満のFETプローブが適していますが残念ながら生産が中止されています。発振振幅の測定にはP5100高電圧プローブ（10MΩ//2.75pF）が使用できますがシグナルジェネレーターやオシロスコープなどを使用してプローブの内部容量値の校正が必要です。何れのプローブを使用する場合でもプローブの入力容量が発振回路に付加されて特性が変化してしまう事を考慮しなければなりません。 |
| Q2 |
発振振幅電圧がICの規定値を満足しません。 |
| A2 |
水晶発振回路はプローブの入力インピーダンスと入力容量の両方の影響を受けます。
C-MOSインバーター発振回路の入力端子電圧は数MΩのインピーダンスを持っていますので10MΩより小さな入力インピーダンスのプローブをIN端子に接触させるとプルダウンされて発振停止や振幅レベルの減少が起こります。
C-MOSインバーター発振回路の発振波形を測定する為にはP6202AやP6204などの10MΩの入力インピーダンスで入力容量が2pF未満のFETプローブが適していますが残念ながら生産が中止されています。発振振幅の測定にはP5100高電圧プローブ（10MΩ//2.75pF）が使用できますがシグナルジェネレーターやオシロスコープなどを使用してプローブの内部容量値の校正が必要です。何れのプローブを使用する場合でもプローブの入力容量が発振回路に付加されて特性が変化してしまう事を考慮しなければなりません。（※Q1の回答と同じ内容です。） |
| Q3 |
周波数カウンターを使って発振周波数を測定していますが、予想値よりかなり低い周波数になっています。 |
| A3 |
測定にご使用されているプローブの入力容量の影響によって発振周波数が大幅に低下している可能性があります。発振回路の測定に適したプローブに交換すると周波数の低下量を少なくできるでしょう。 |
| Q4 |
水晶振動子のジッター特性を教えてください。 |
| A4 |
ジッター特性は水晶振動子を組み込んだ水晶発振回路の特性ですので、水晶振動子のジッター特性のデータはありません。 |
| 回路検討 |
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| Q1 |
京セラクリスタルデバイスでは水晶発振回路の特性を測定して頂けますか？ |
| A1 |
京セラクリスタルデバイスでは当社の水晶振動子をご使用頂いている回路基板をお預かりして回路検討を無料で実施しておりますので、お客様をご担当させて頂いている京セラ営業またはご利用の商社様へご連絡願います。 |
| Q2 |
回路検討の費用はいくらですか？ |
| A2 |
京セラクリスタルデバイスでは当社の水晶振動子をご使用頂いている回路基板をお預かりして回路検討を無料で実施しておりますので、お客様をご担当させて頂いている京セラ営業またはご利用の商社様へご連絡願います。（※Q1の回答と同じ内容です。） |
| Q3 |
回路検討の窓口はどちらですか？ |
| A3 |
京セラクリスタルデバイスでは当社の水晶振動子をご使用頂いている回路基板をお預かりして回路検討を無料で実施しておりますので、お客様をご担当させて頂いている京セラ営業またはご利用の商社様へご連絡願います。（※Q1、Q2の回答と同じ内容です。） |
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Global
