| Q1：可視光露光タイプと近赤外露光タイプの違いは何ですか? |
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A1：可視光露光タイプと近赤外露光タイプの大きな違いは、光吸収層の有無と基板の面状態の2点において異なっています。近赤外の光（700nm以上のレーザー等）を露光光源として使用する場合、入射光と基板からの反射光が干渉を起こし、画像上に干渉縞が発生します。これを防止する為、近赤外露光タイプには入射光及び反射光を吸収する光吸収層を設ける処理を行うほか、反射光を散乱させる為に基板の粗面化を行っています。
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| Q2：イレースは、どういうものを使用する必要があるのですか? |
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A2：ドラム上に作られた画像パターンが、次の周の画像上に薄く現れる現象を画像メモリー（残像，ゴースト現象）と呼んでいますが、これは露光された部分で発生したキャリアの一部が次の工程までに速やかに表面に到達されずに、膜の中にトラップされている事が原因で発生します。波長が長い光程、光が深くまで到達する為このメモリー現象が悪くなる傾向があります。この対策として、イレースは露光波長に近い（少し短い）波長を選定する必要があります。
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| Q3：近赤外タイプに高帯電がないのはなぜですか? |
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A3：高帯電タイプは、厚膜化により標準帯電タイプの2倍以上の帯電性を有していますが、アモルファスシリコンの帯電性はイレースにより大きく影響します。これは、イレース光により発生したキャリアの一部が膜の中にトラップされており、帯電工程後の高電界によって表面まで移動し、表面の電荷を中和する事によるものです。波長が長い光程、光が深くまで到達する為トラップされるキャリアが多くなり、帯電の低下が顕著になります。長波長イレースを使用する必要がある長波長露光タイプでは（その理由はQ2参照）、長波長イレースによる帯電低下が大きく、厚膜化による帯電性の向上が困難なのが現状です。
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| Q4：感光体の寿命とは、どういう状態を示すのですか? |
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A4：摩耗により表面が削れ、特性が変化した時を寿命としています。アモルファスシリコンの表面保護層は高硬度の為、300万枚使用した後でも削れ量は0.5μm以下です。
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| Q5：感光体は再生できますか? |
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A5：基板のアルミニウムの再利用は可能です。又、膜は無害ですので、廃棄に際して、特殊な処理は必要ありません。
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| Q6：標準的な仕様以外の注文は可能ですか? |
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A6：可能です。基本的には、カスタムメイドですのでサイズ，膜の仕様（特性），出荷形態等はお客様のご指定通りとさせて頂きます。
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| Q7：ベルト状のアモルファスシリコン感光体は出来ますか? |
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A7：アモルファスシリコン半導体は、極端に強い圧力などが加わりますと、膜の結合（ネットワーク）が切れて半導体特性を持たなくなります。但し、太陽電池などで1部シート状のものが作製されていますので将来的な可能性としては、全く不可能ではないと思われます。
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| Q8：アルミニウム以外の基板は使用できますか? |
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A8：膜の密着性の問題から、アルミニウムが理想的ですが、それ以外の基板が必要な場合は、ご相談下さい。
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| Q9：各特性のスペックはありますか? |
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A9：各ドラムについて、外観特性、電気特性などでの標準的なスペックはありますが、これ以外はカスタムメイドとなりますので、お客様のご指定通りとさせて頂きます。
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