ウェハーバンピング

 
京セラでは自社製品であるサーマルプリントヘッド用ICにおいて2002年以来の量産実績を持つ技術を活用し、ウェハーバンピング受託事業をご提供いたしております。

■バンピング実施例
ウェハーサイズ 6インチ
はんだ組成 Sn/3.0Ag/0.5Cu
バンプ個数 49万個/ウェハー
バンプ高さ 50μm
バンプピッチ 120μm

 特長
無電解めっきによるUBM形成技術 と スクリーン印刷によるバンプ形成技術

■リードタイム短縮の実現
ふたつの新工法を組み合わせたシンプルな製造プロセスであるため、リードタイムの大幅な短縮が可能です。

■コスト対応力の実現
従来工法である電解めっき法に比べて、製造工程数の削減により、コスト対応力が向上しています。

工法比較

■環境に優しいバンプ構造
アンダーバリアメタル(UBM)、はんだバンプ共に鉛フリーであり、RoHS指令に準拠しています。

■最小120μmの狭ピッチ対応
スクリーン印刷では業界最小であるピッチ120μmまで対応できます。

仕様

■8インチウェハー対応
ウェハーサイズは5,6,8インチに対応できます。

仕様

■フレキシブルなはんだ組成
お客様のご要望にそった各種合金組成の鉛フリーはんだを形成できます。
特に3元系の鉛フリーはんだを形成できる特徴があります。

■全数検査による品質保証
必要に応じ2D−3D全数検査やボールシェア強度測定等を行い、安定した品質を保証いたします。

 仕様
バンピング条件
ウェハーサイズ 5、6、8インチ
電極 Al、Al-Cu、Al-Si、Al-Si-Cu
アンダーバリアメタル(UBM) 無電解めっき(鉛フリー)
はんだバンプ 各種鉛フリーはんだ

標準仕様
バンプ高さ
50μm
バンプ高さバラツキ(ウェハー内)
±10μm
バンプ高さバラツキ(チップ内)
±6μm
バンプピッチ
120μm
はんだ組成
Sn/3.0Ag/0.5Cu
UBM膜厚 3.0μm±0.5μm

各種仕様についてはお客様のご要望にお応えいたしますので、 お気軽にご相談下さい。
バックグラインド、ダイシングのご要望についても、ご相談を承ります。

■リーフレットのダウンロード

ウェハーバンピングリーフレット (PDF/419KB)  pdf

 製造プロセス
きわめてシンプルな製造プロセスであるため、高い製造歩留まりとリードタイムの短縮·コスト対応力の向上が実現できます。
写真:製造プロセス
工法比較

 バンプ構造(概略断面)
図:バンプ構造(概略断面)
New Technology!
独自技術によりUBMとはんだバンプの界面に形成される金属間化合物層の成長を抑制し、UBM−はんだ界面強度の向上を図りました。
UBM:Under Barrier Metal    

 応用展開
無電解めっきによるUBM形成後は、 はんだボール搭載、ワイヤーボンディング、COC(Chip on Chip)実装用途 などへの応用も可能です。

UBM 組み合わせる技術 機能
写真:薄く形成
薄く形成
はんだボール搭載 はんだバンプ
ワイヤーボンディング Low−k層間膜構造のための緩衝層
写真:厚く形成
厚く形成
ACF

Auバンプの代替

COC実装

三次元積層構造における電極

工法比較
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ウェハーバンピング事業の本格開始(ニュースリリース)
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