セラミックパッケージ

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サブマウント・サブキャリア

光通信モジュールの半導体レーザーダイオードやフォトダイオードを実装するセラミック基板です。セラミック材料には、窒化アルミニウム(AlN)と酸化アルミニウム(アルミナ, Al2O3)があります。セラミック・サブマウントに、レーザーダイオードないしフォトダイオードを実装する為のAu-Snを蒸着したり、薄膜抵抗付けをして提供することが可能です。

  • データは全て当社による測定結果です。

窒化アルミニウム(AlN)サブマウント

窒化アルミニウム(AlN)には、多層基板と単層基板があります。多層基板は、熱伝導率150W/mKで、セラミック内層にグランド層を入れたり、精密機械加工による段差の形成が可能です。単層基板は、熱伝導率が170、200、230W/mKの3つのオプションがあります。窒化アルミニウムは、他の材料に比べて、熱膨張係数がインジウムリン(InP)やガリウム砒素(GaAs)に近いのも特長です。

インテグレーティッド・サブキャリア

京セラは、低誘電損失のアルミナ(Al2O3)多層セラミック技術を使用したインテグレーティッド・サブキャリアを提案しています。キャビティと差動ペア配線と多くのグランド・ビアを設け、光導波路、フォトダイオードおよびトランスインピーダンス増幅器(TIA)などが実装されます。

セラミックパッケージに関するお問い合わせは
半導体部品セラミック材料事業本部マーケティング部までご連絡下さい。

TEL 075-604-3652

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