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光通信モジュールの半導体レーザーダイオード（LD）やフォトダイオード（PD）を実装するセラミック基板です。セラミック材料には、窒化アルミニウム（AlN）と酸化アルミニウム（アルミナ, Al2O3）があります。薄膜サブマウントの場合、LDないしPD付け用にAuSnを蒸着したり、薄膜抵抗付けをして提供しています。 |
 窒化アルミニウム（AlN）サブマウント |
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窒化アルミニウム（AlN）には、多層基板と単層基板があります。多層基板は、熱伝導率170W/mKで、セラミック内層にグランド層を入れたり、精密機械加工による段差の形成が可能です。単層基板は、熱伝導率が170、200、230W/mKの3つのオプションがあります。窒化アルミニウムは、他材料に比べて、熱膨張係数がインジウムリン（InP）やガリウム砒素（GaAs）に近いのも特長です。
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| アルミナ（Al2O3）サブマウント |
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アルミナ（Al2O3）の単層基板に薄膜ないし厚膜で回路パターンを形成しています。
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