セラミックパッケージ

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TOセラミックパッケージ

京セラは、従来材料を凌ぐ高耐熱、高熱伝導率、高耐電圧、大電流容量のセラミックパッケージを開発し、省エネルギーの鍵を握る炭化珪素(SiC)などの次世代パワー半導体の普及を支えます。

標準品リスト(136KB)

  • TO-254 PKG / TO-257 PKG

  • TF-TO254 PKG

  • TF-TO3P PKG

パッケージTO-257 PKGTO-254 PKGTF-TO254 PKGTF-TO3P PKG
図面番号 PGMR-A6142 PGMR-A6140 GMR-A9455-A SGMR-B4385
めっき仕様 Ni + Au Ni + Au Ni Ni + Au
ヒートシンク KYCM® (260W/mK) KYCM® (260W/mK) KYCM® (260W/mK) Cu-W (175W/mK)
リード材 Alloy 50 (Cu コア) Alloy 50 (Cu コア) Alloy 50 (Cu コア) Cu
電流容量 15A max. 20A max. 20A max. 50A max.
耐電圧(DC) 1.0kV min. 1.0kV min. 1.0kV min. 1.2kV min.
高温放置試験 300℃
1,000時間
300℃
1,000時間
200℃
1,000時間
300℃
1,000時間
温度サイクル試験 -65℃ ~ +175℃
1,000サイクル
-65℃ ~ +175℃
1,000サイクル
-65℃ ~ +175℃
1,000サイクル
-65℃ ~ +175℃
1,000サイクル

大阪大学様ご協力(TF-TO254 PKG, TF-TO3P PKG)

  1. セラミック材にはアルミナ(京セラA440)を使用しています。
  2. めっき仕様は、NiめっきまたはNi+Auめっきをお客様が選択いただけます。
  3. 「KYCM」は京セラ株式会社の登録商標です。
  4. 電流容量はリードの温度が80℃になる場合の電流値です。
  5. 高温放置試験と温度サイクル試験は、京セラ株式会社が実施した試験です。
    合否判定基準は外観と耐電圧です。

TOセラミックパッケージの応用展開として、大型のハイブリッドパッケージを開発し、供給しています。
カスタムデザインのご要求にも対応致します。

大阪大学様ご協力(TF-HB PKG)

TF-HB PKG

  • 図面番号:GMR-B1372
  • めっき仕様:Ni+Au
  • ヒートシンク:Cu-W(175W/mK)
  • キャビティ内プレート材:Cu
  • リード材:Cu
  • 電流容量:50A max.
  • 耐電圧(DC):1.5kV min.
  • 温度サイクル試験: -65~+175℃、1,000サイクル

セラミックパッケージに関するお問い合わせは
半導体部品セラミック材料事業本部マーケティング部までご連絡下さい。

TEL 075-604-3652

お電話での受付時間は、弊社営業日の9:00~17:00です。

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