セラミックパッケージ

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FET/HEMT用パッケージ

京セラは、シリコンLDMOS(Laterally Diffused MOS) FET用のパッケージや化合物半導体(GaAs、GaN、SiCなど)のFET/HEMT用パッケージを量産しています。電気抵抗を低減したセラミックフィードスルーや低熱抵抗を実現したヒートシンクで、デバイスの高出力化に対応しています。

低熱抵抗のヒートシンク(CM4)

4種類のヒートシンク材の熱抵抗を測定

(CM4は京セラ独自の材料コードです)

ヒートシンク寸法:24mm x 17.4mm x 1.4mm
ヒーターチップ寸法:4mm x 1.5mm x 0.5mm

  • ヒートシンク材(CM4)の厚みを薄くすることで熱抵抗を更に小さくすることが可能です。ただし、使用方法や評価内容によっては厚くする場合もありますので、ご相談下さい。
  • FET (Field Effect Transistor):電界効果トランジスタ
    HEMT (High Electron Mobility Transistor):高電子移動度トランジスタ
    LDMOS (Laterally Diffused MOS):横方向拡散金属酸化膜半導体

セラミックパッケージに関するお問い合わせは
半導体部品セラミック材料事業本部マーケティング部までご連絡下さい。

TEL 075-604-3652

お電話での受付時間は、弊社営業日の9:00~17:00です。

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