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京セラは、シリコンLDMOS（Laterally Diffused MOS） FET用のパッケージや化合物半導体（GaAs、GaN、SiCなど）のFET/HEMT用パッケージを量産しています。電気抵抗を低減したセラミックフィードスルーや低熱抵抗を実現したヒートシンクで、デバイスの高出力化に対応しています。 |
 低電気抵抗のセラミック（AO600）フィードスルー |
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温度サイクル後に2種類のセラミック
フィードスルーの電気抵抗を測定
温度条件：-65℃（30分間）/+175℃（30分間） |
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4種類のヒートシンク材の熱抵抗を測定
（CM4は京セラ独自の材料コードです）
ヒートシンク寸法：24mm x 17.4mm x 1.4mm
ヒーターチップ寸法：4mm x 1.5mm x 0.5mm |
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| 注： |
ヒートシンク材（CM4）の厚みを薄くすることで熱抵抗を更に小さくすることが可能です。ただし、使用方法や評価内容によっては厚くする場合もありますので、ご相談下さい。 |
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| ※ |
FET (Field Effect Transistor)：電界効果トランジスタ
HEMT (High Electron Mobility Transistor)：高電子移動度トランジスタ
LDMOS (Laterally Diffused MOS)：横方向拡散金属酸化膜半導体 |
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