電子部品

電子部品 用語集


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IGBT

Insulated Gate Bipolar Transistorの略。電流制御の半導体素子。ゲート電圧を制御することで コレクタ、エミッタ間を流れる電流を制御する。バイポーラトランジスタとMOSFETの特徴を合わせもつ。

アノード

外部から電流が流入する電極(+極)。

一般整流ダイオード

PN 型接合整流素子で、交流である商用周波数を整流するダイオード。
【ディスクリート】一般整流ダイオード
【パワーモジュール】一般整流ダイオード
【ハイパワーデバイス】一般整流ダイオード

EMI

Electromagnetic Interferenceの略。電子機器が発する電磁波がノイズとして他の電子機器の動作に影響を及ぼすこと。(電磁妨害)

EMS

Electromagnetic Susceptibilityの略。周囲の電子機器が発するノイズにより動作に影響が表れること。(電磁感受性)

EMC

Electromagnetic Compatibilityの略。電子機器が発するノイズが周囲に影響をを与えず、周囲のノイズの影響も受けないこと。(電磁両立性)

SMT(表面実装)

Surface Mount Technologyの略。電子部品をプリント基板に実装する方法の1つ。プリント基板表面にはんだを塗り部品をマウントし、リフロー炉を通してはんだを溶かす実装方法。

SMD

Surface Mount Deviceの略。SMT(表面実装)用の部品をSMDという。

カソード

外部へ電流が流出する電極(-極)。

逆回復時間(trr

《ダイオード》 順方向通電状態から逆方向にスイッチするときに、逆阻止能力を回復するまでの時間。

繰り返しピークオフ電圧(VDRM

《サイリスタ》アノード・カソード間に繰り返し印加できるオフ電圧のピーク値。

繰り返しピーク逆電圧
(VRRM

《ダイオード》繰り返し印加できる逆電圧のピーク値。
《サイリスタ》アノード・カソード間に繰り返し印加できる逆電圧のピーク値。

コレクタ・エミッタ間電圧(VCES

《IGBT》ゲート・エミッタ間を短絡したうえでコレクタ・エミッタ間に印加できる電圧のピーク値。

コレクタ・エミッタ間飽和電圧(VCE(sat)

《IGBT》規定のゲート電圧を印加して、規定のドレイン電流を流したときのコレクタ・エミッタ間電圧。

コレクタ電流(IC

《IGBT》連続して流せるコレクタ電流の最大値。

サージオン電流(ITSM

《サイリスタ》50Hzまたは60Hzの正弦波1 サイクルを非繰り返しで流しうる最大オン電流のピーク値。

サージ順電流(IFSM

《ダイオード》50Hzまたは60Hzの正弦波1サイクルを非繰り返しで流しうる最大順電流のピーク値。

サイリスタ

電流制御用の半導体素子。ゲート‐カソードに電流を印加すると、 アノード-カソード間に大きな電流が流れる。
【パワーモジュール】サイリスタ

実効順電流(IF(RMS)

《ダイオード》連続して通電できる順電流の実効値。

ショットキーバリアダイオード(SBD)

金属電極と半導体の接触により生ずる電位障壁(ショットキーバリア)を利用したダイオード。
【ディスクリート】ショットキーバリアダイオード
【パワーモジュール】ショットキーバリアダイオード

全損失(PD

《MOSFET》ケース温度25℃での最大許容電力損失。

ソース電流(IS

《MOSFET》連続して流せるソース電流の最大値。

ソース・ドレイン間電圧(VSD

《MOSFET》ゲート・ソース間を短絡して、規定のソース電流を流したときのソース・ドレイン間電圧。

ダイオード

整流作用をもつ半導体素子。アノードからカソードに電流が流れる。

ディスクリート

単一の機能を備えている半導体のこと。ダイオードやトランジスタなどのことを指す。
ディスクリート

DIP

電子部品をプリント基板に実装する方法の1つ。基板のスルーホールに電子部品のソルダーテール(はんだ付け端子)を挿入し、はんだ槽に浸して実装する方法。

電流2乗時間積(I²t)

《ダイオード》10ms未満1msまでの非繰り返しピーク順電流を計算するための値。

動作接合温度範囲(Tjw

《ダイオード/サイリスタ》動作時の接合温度保証範囲。

動作チャンネル温度範囲(Tjw

《MOSFET》動作時のチャンネル温度の範囲。

トランジスタ

電流制御・電流増幅用半導体素子の総称。

トリガゲート電圧(VGT

《サイリスタ》オンさせるのに必要な最小ゲート電圧。

トリガゲート電流(IGT

《サイリスタ》オンさせるのに必要な最小ゲート電流。

ドレイン・ソース間オン抵抗(RDS(on)

《MOSFET》規定のゲート電圧を印加して、規定のドレイン電流を流したときのドレイン・ソース間の直流抵抗。

ドレイン・ソース間オン電圧(VDS(on)

《MOSFET》規定のゲート電圧を印加して、規定のドレイン電流を流したときのドレイン・ソース間のオン電圧。

ドレイン・ソース間電圧(VDSS

《MOSFET》ゲート・ソース間を短絡したうえでドレイン・ソース間に印加できる電圧のピーク値。

ドレイン電流(ID

《MOSFET》連続して流せるドレイン電流の最大値。

熱抵抗(Rth

《ダイオード》熱的平衡状態にあるときの接合部・周囲間、あるいは接合部・ケース間のような2点間の単位損失あたりの温度差。Rth(j-c):接合・ケース間、Rth(j-l):接合・リード間、Rth(j-a):接合・周囲間。

ピーク逆電流(IRM

《ダイオード》規定の逆電圧を印加したときに流れる逆電流のピーク値。

ピーク順電圧(VFM

《ダイオード》規定の順電流を流したときの順電圧ピーク値。

非繰り返しピーク逆電圧(VRSM

《サイリスタ》非繰り返しで印加できる逆電圧のピーク値。

平均オン電流(Io)

《サイリスタ》指定された条件で商用周波数(50Hz/60Hz)で流しうる最大オン電流の平均値。

ファストリカバリダイオード(FRD)

PN 型接合整流素子で、逆回復時間 (trr) が短く、高周波電源の整流に適したダイオード。
【ディスクリート】ファストリカバリダイオード
【パワーモジュール】ファストリカバリダイオード
【ハイパワーデバイス】ファストリカバリダイオード

平均整流電流(Io)

《ダイオード》指定された条件で商用周波数(50Hz/60Hz)で流しうる最大平均電流。

保存温度範囲(Tstg

《ダイオード》保存(非動作時)の周囲温度保証範囲。

MOSFET

電流制御・電流増幅用の半導体素子。ゲート電圧を制御することでドレイン、ソース間を流れる電流を制御する。電界効果トランジスタの略。

リフロー

電子部品をプリント基板に付ける際、基板に塗ったはんだを炉で溶かして電子部品を取り付ける方法。

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