THE NEW VALUE FRONTIER

ウェハーバンピング

Wafer Bumping 長期的な安定供給と高品質を実現 試作時・量産時のリードタイムを短縮

特長

  1. 安定供給

    当社製サーマルプリントヘッドに搭載するドライバーICへバンピングを全数対応

  2. 高品質検査

    2D-3D外観検査機を使用

  3. フレキシブル試作対応

    無電解めっき及びハイブリッド印刷工法を採用した、迅速で多品種対応を実現

  4. リードタイム短縮

    従来工法に比べ、生産工数を削減

  5. コスト対応力

    従来工法に比べ、生産工数を削減

ご提案

UBM※1(めっき)- バンプ から PI※2 - BG※3・ダイシング・検査・テーピングまで

核となるUBM−バンピングから、PI, BG, ダイシング, 検査, テーピングを追加オプションとしてご提案いたします。

※1 UBM:Under barrier Metal ※2 PI:Polyimide ※3 BG: Back Grind

工法/性能

  • 無電解めっき Ni, Ni/Au, Ni/Pd/Au
  • ハイブリッド印刷工法
  • 2D-3D 全数外観検査

※表の内容は、横スクロールでご確認いただけます。

ウェハーサイズ 電極 バンプ種類 バンプ高さ バンプピッチ はんだ組成
4/5/6/8インチ Al,Al-Cu,Al-Si,
Al-Si-Cu
鉛フリーはんだ 35µm ~ 120µm
ウエハー内バラツキ
±10µm
チップ内バラツキ
±6µm
80µm Sn/3.0Ag/0.5Cu

お問い合わせ

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