ウェハーバンピング
特長
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安定供給
当社製サーマルプリントヘッドに搭載するドライバーICへバンピングを全数対応
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高品質検査
2D-3D外観検査機を使用
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フレキシブル試作対応
無電解めっき及びハイブリッド印刷工法を採用した、迅速で多品種対応を実現
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リードタイム短縮
従来工法に比べ、生産工数を削減
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コスト対応力
従来工法に比べ、生産工数を削減
ご提案
UBM※1（めっき）- バンプ から PI※2 - BG※3・ダイシング・検査・テーピングまで
核となるUBM−バンピングから、PI, BG, ダイシング, 検査, テーピングを追加オプションとしてご提案いたします。
※1 UBM：Under barrier Metal ※2 PI：Polyimide ※3 BG: Back Grind
工法/性能
- 無電解めっき Ni, Ni/Au, Ni/Pd/Au
- ハイブリッド印刷工法
- 2D-3D 全数外観検査
※表の内容は、横スクロールでご確認いただけます。
| ウェハーサイズ | 電極 | バンプ種類 | バンプ高さ | バンプピッチ | はんだ組成 |
|---|---|---|---|---|---|
| 4/5/6/8インチ | Al,Al-Cu,Al-Si, Al-Si-Cu |
鉛フリーはんだ | 35µm ～ 120µm ウエハー内バラツキ ±10µm チップ内バラツキ ±6µm |
80µm | Sn/3.0Ag/0.５Cu |
お問い合わせ
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- 075-604-3668（京都）
- 03-6364-5522（東京）
