高純度アルミナ（AO479U）は、耐熱性、耐薬品性、耐プラズマ性に優れていることに加えて、従来困難であった低誘電正接（tanδ）・高強度の両立を実現した材質です。本材質は、誘電正接が小さいため、高周波条件でのパワーロスを低減できます。また、高い機械的強度により、発熱及び真空における部材破損が少ないです。そのため、チューニングの省力化、並びに、プロセスの安定稼働ができることから、半導体製造装置用部材として幅広く採用されています。
特長
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低誘電正接と高強度の両立高純度でありながら、低誘電正接と高強度の両立を実現しています。
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幅広い周波数域に対応1MHz～8.5GHz帯の幅広い周波数域にて誘電正接は低い値を示します。
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肉厚製品でも安定性能40mm程度の肉厚製品も厚み方向の中央部分を含め、誘電正接は安定して低い値を示します。
加工例
Radio Frequency(高周波)を使用する半導体製造装置の絶縁部品
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ベースプレート
Φ400×20t (mm)
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インシュレーターリング
Φ400×50t (mm)
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チャンバー構成部材
Φ600×20t (mm)
※上記は、加工事例です。上記以外のサイズ・形状も対応可能です。お気軽にお問合せください。
特性データ比較
当社低誘電正接・高強度・高純度アルミナ（AO479U）、当社従来材の低誘電正接アルミナ（AO479Q）、及び、当社高純度アルミナ（AO479M）との主な特性比較
| 材質 材質記号（新表記） 材質記号（旧表記） |
低誘電正接・高強度・高純度アルミナ | 低誘電正接アルミナ | 高純度アルミナ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO479U | AO479Q | AO479M | |||||
| A479U | A479Q | A479M | |||||
| 含有量（Al2O3） | ％ | 99.6 | 99.3 | 99.5 | |||
| 機械的特性 | ビッカース硬さ HV9.807N | GPa | 15.2 | 15.7 | 15.7 | ||
| ３点曲げ強さ | MPa | 380 | 290 | 370 | |||
| ヤング率 | GPa | 387 | 377 | 370 | |||
| 熱的特性 | 平均線膨張率 | 40～400℃ | × 10-6/K | 7.2 | 7.0 | 7.2 | |
| 熱伝導率 | 20℃ | W/（m・K） | 32 | 30 | 32 | ||
| 電気的特性 | 表面抵抗値 | 1MHz | × 10-4 | ※下記、誘電正接（tanδ）の測定データ詳細をご参照ください。 | |||
| 10-100MHz | |||||||
| 8.5GHz | |||||||
| 体積抵抗率 | 20℃ | Ω・cm | > 1014 | > 1014 | > 1014 | ||
測定データ詳細
誘電正接（tanδ）
当社低誘電正接・高強度・高純度アルミナ（AO479U）は、幅広い周波数域において誘電正接は低い値を示します。また、40mm程度の肉厚製品であっても、製品の中央部分を含め、誘電正接は安定して低い値を示します。
周波数・材質別・厚み別の誘電正接測定
測定方法
焼き上げ厚みを10～40mmまで振り、中央付近から厚み1mmで切り出したテストピースにて確認。
測定装置
| 1MHz： | Cメーター(ブリッジ回路法) |
| 13.56MHz： | インピーダンスアナライザー(高周波電流電圧法) |
| 8.5GHz： | ネットワークアナライザー(空洞共振器法) |
● AO479U（A479U）
● AO479Q（A479Q）
● AO479M（A479M）
強度
当社低誘電正接・高強度・高純度アルミナ（AO479U）は、従来材同等の低誘電正接でありながら、高純度アルミナ（AO479M）を超える高い強度を有しています。
耐熱性、耐薬品性、耐プラズマ性が求められる過酷なプラズマ発生環境における高強度、低誘電正接部材をご検討中の方、パワーロス低減によるプロセス安定稼働にご興味をお持ちの方など、是非お気軽にご相談ください。
本ページに記載の数値は全て社内測定による代表値であり、製品の仕様を保証する値ではありません。