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薄膜MIC基板

写真:高純度(99.6%)アルミナ基板

高純度(99.6%)アルミナ基板
  京セラは、セラミック基板に薄膜パターン加工したマイクロ波集積回路(MIC)基板を提供しています。セラミック基板には、高純度(99.6%)アルミナ基板や高誘電率基板があります。

 高誘電率(High K)基板
写真:高誘電率(High K)基板   ・ 誘電率が高いので、マイクロ波回路の小型化が可能。
・ 高周波領域で高いQ値を実現。
・ 比誘電率温度係数が低い為、安定した回路構成が可能。
・ 窒化タンタル(Ta2N)の薄膜抵抗体を形成可能。

セラミック材料コード SV380 SH890 K140
比誘電率 38+/-1 89+/-1 140+/-2
Q値 >4000
(@10GHz)
>1800
(@2.6GHz)
>1000
(@5GHz)
比誘電率温度係数(ppm/K)
20〜60℃
-30+/-30 -35+/-30 900+/-200
熱膨張係数(ppm/K)
40〜400℃
10.3 10.1 10.8
Note:上記の材料物性値は代表値です。これらの値は、材料や工程の改善や変更によって変更されることがあります。

 薄膜抵抗体
抵抗体材料 Ta2N
シート抵抗(Ω/SQ) 10〜100
抵抗値温度係数(ppm/K)
-25〜85℃
-100+/-20
公差トリミングなし +/-20%
公差トリミングあり +/-3%
長期信頼性
高温放置(125℃、1000時間)後の
抵抗値変化
0.4% max.

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