共創・協業を推進し、多様化するニーズに
応えることにより常に新たな価値を創造しています。
グループ横断のグローバルなネットワークに加えてM&Aやオープンイノベーションを積極的に推進。
私たちは、新たな価値を常に最先端で創造する開拓者であり続けます。
先端技術で社会のさまざまな課題解決に貢献
光電集積モジュール『OPTINITY®』（オプティニティ）
現在、AlやDX化の普及に伴い、データセンターやネットワーク機器に求められる通信能力が急激に高まる中、高速・大容量通信を低消費電力で実現するため、データ送信を従来の電気信号から光信号に置き換える技術が注目されています。京セラは、自社で有する配線基板技術や光関連技術を生かし、電気信号から光信号に変換してデータ伝送する「オンボード型光電集積モジュール」の開発を進めています。CPU等から出力する電気信号を早い段階で光信号に変換することで信号損失を削減し、さらに、PCle®5.0に準拠した512Gbpsの伝送帯域を世界で初めて実現しました※1。これにより、データセンターやネットワーク機器の高速化・省電力化に貢献し、次世代デジタルインフラの構築を目指します。 ※1 拡張インターフェース規格PCle Gen5の対応製品において（2022年9月時点京セラ調べ） ※PCIe® は、PCI-SIGの登録商標です ※「OPTINITY」は京セラ株式会社の登録商標です
※タップすると下記画像を拡大できます。
micro-LED / micro-レーザー用独自基板
独自技術により、低コストなSi（シリコン）基板上に、3次元構造を有し、欠陥密度が低くなる高品質なGaN※1層（独自EGOS※2基板）の形成を可能にしました。
この技術を用いることで、micro-LEDなどの微小光源※3を傷つけることなく基板から剥離することができ、低欠陥、低コストで製造することができます。これらの微小光源は、AIデータセンター内の光通信モジュールのほか、次世代の車載用ディスプレイやスマートグラスなどへの活用が期待されます。
※2 EGOS：Epitaxial lateral overgrowth GaN On Substrate
※3 微小光源：素子の一辺が100μm（マイクロメートル）以下の光源
主な研究開発施設
研究開発の中核拠点として、グループ内の材料、部品、デバイス、機器・システム、ソフトウェアの研究開発に加え、生産プロセス技術に関わるグローバルな研究ネットワークを構築しています。
みなとみらいリサーチセンター
（神奈川県横浜市）
けいはんなリサーチセンター
（京都府相楽郡）
きりしまR&Dセンター
（鹿児島県霧島市）
KYOCERA SLD Laser, Inc.内
Santa Barbara Innovation
Center
（米国 カリフォルニア州）
※GaN（窒化ガリウム）製デバイスの開発