京セラは、セラミックスと金属を接合する技術を用いて、パワーエレクトロニクス用パッケージを製造·供給しています。
銅貼り窒化珪素パッケージ
- 窒化珪素セラミック基板
SN460:抗折強度850MPa, 破壊靭性5.0MPam1/2, 熱伝導率58W/mK
SN490:抗折強度820MPa, 破壊靭性6.3MPam1/2, 熱伝導率85W/mK
- 活性金属法で銅板と窒化珪素セラミック基板を接合し、銅ビアで上下の回路間を導通
- 高信頼性:温度サイクル試験1000サイクル(-65~+150℃)後の気密性試験で合格(N=5個、京セラ試験)
銅貼り窒化珪素基板
- 窒化珪素セラミック基板
SN460:抗折強度850MPa, 破壊靭性5.0MPam1/2, 熱伝導率58W/mK
SN490:抗折強度820MPa, 破壊靭性6.3MPam1/2, 熱伝導率85W/mK
- 活性金属法で銅板と窒化珪素セラミック基板を接合
- 高信頼性:温度サイクル試験5000サイクル(-60~+175℃)後の絶縁抵抗試験、絶縁耐電圧試験で合格(N=5個、京セラ試験)
TO-254/TO-257セラミックパッケージ
- アルミナセラミック多層パッケージに、銅コアピンとヒートシンクを接合
- 高信頼性:温度サイクル試験1000サイクル(-65~+175℃)後の気密性試験、絶縁耐電圧試験で合格(N=10個、京セラ試験)