マイクロ波（～20GHz)対応パッケージ

概要

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マイクロ波

ミリ波

MIC基板

電波吸収体付リッド

京セラは、マイクロ波通信に使用される化合物半導体（GaAs、GaNなど）FET/ HEMT用パッケージを提供しています。
高い熱伝導率のヒートスプレッダーを用い、デバイスの高出力化に対応しています。
また、衛星通信や気象レーダーなど高い信頼性が要求される分野にも採用実績があります。
※FET：Field Effect Transistor
※HEMT：High Electron Mobility Transistor（高電子移動度トランジスタ）

特長

高放熱

高周波設計

高信頼性

セラミックスと接合可能なヒートスプレッダー材料の材料特性表

O.F.H.C.銅、銅タングステン（CuW）、銅モリブデン（CuMo）などヒートスプレッダー材料の材料特性表を示しています。
※O.F.H.C.：Oxygen Free High Conductivity

材料		熱膨張係数（ /K ） ( RT~400℃ )	熱伝導率 ( W/(m・K) )	熱抵抗＊＊（ K/W ）	かさ密度 ( g/cm3 )	硬度 ( Hv )	引張強度 ( MPa )	ヤング率 ( GPa )	ヒートスプレッダ― Min.厚み( mm )
O.F.H.C.銅		19.0 x 10^-6	391	0.85	8.9	80	206	117	0.2
銅タングステン ( CuW )	10/90 (%)	7.0 x 10^-6	175	1.91	16.8	300	882	313	0.2
	15/85 (%)	7.8 x 10^-6	185	1.80	16.3	280	843	294	0.2
	20/80 (%)	8.8 x 10^-6	200	1.67	15.6	260	784	265	0.2
	25/75 (%)	9.5 x 10^-6	230	1.45	14.8	240	686	225	0.2
銅モリブデン ( CuMo )	35/65 (%)	* 8.1 x 10^-6	210	1.59	9.7	162	560	208	0.15
	40/60 (%)	* 8.5 x 10^-6	220	1.52	9.5	180	608	206	0.15
	50/50 (%)	* 10.4 x 10^-6	260	1.28	9.5	150	539	186	0.15
	60/40 (%)	* 10.8 x 10^-6	275	1.21	9.4	130	461	157	0.15
CPC^®141		* 7.8 x 10^-6	200	1.67	9.5	N/A	380	160	0.5
CPC^®232		* 8.8 x 10^-6	235	1.42	9.3	N/A	350	130	0.7
KYCM^®	Cu/Mo/Cu	7.3 ~10.5 x 10^-6	260 ~310 (垂直方向)	1.08~1.75	8.9 ~ 9.2	N/A	Approx.324	N/A	1
CM360		15.5 x 10^-6	360	0.93	N/A	N/A	N/A	130	1