京セラは、シリコンLDMOS(Laterally Diffused MOS) FET用のパッケージや化合物半導体(GaAs、GaN、SiCなど)のFET/HEMT用パッケージを量産しています。電気抵抗を低減したセラミックフィードスルーや低熱抵抗を実現したヒートシンクで、デバイスの高出力化に対応しています。
お客様のご要望に合わせた各種カスタム品を提供します。標準品もございます。リストをご確認下さい。
標準品リスト(114KB)
線熱膨張係数(ppm/K) |
熱伝導率(W/mK) |
かさ密度(g/m3) |
硬度(Hv) |
引張り強さ(MPa) |
ヤング率(GPa) |
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O.F.H.C. (無酸素銅) |
19.0 | 391 | 8.9 | 80 | 206 | 117 | |
CuW | 10/90 (%) | 7.0 | 175 | 16.8 | 300 | 882 | 313 |
15/85 (%) | 7.8 | 185 | 16.3 | 280 | 843 | 294 | |
20/80 (%) | 8.8 | 200 | 15.6 | 260 | 784 | 265 | |
25/75 (%) | 9.5 | 230 | 14.8 | 240 | 686 | 225 | |
CuMo | 35/65 (%) | 8.1 * | 210 | 9.7 | 162 | 560 | 208 |
40/60 (%) | 8.5 * | 220 | 9.5 | 180 | 608 | 206 | |
50/50 (%) | 10.4 * | 260 | 9.5 | 150 | 539 | 186 | |
60/40 (%) | 10.8 * | 275 | 9.4 | 130 | 461 | 157 | |
CPC (141) | 7.8 * | 200 | 9.5 | - | 380 | 160 | |
CPC (232) | 8.8 * | 235 | 9.3 | - | 350 | 130 | |
KYCM | Cu/Mo/Cu | 7.3~10.5 | 260~310 (垂直方法) |
8.9~9.2 | - | (324) | - |
CM360 | 15.5 | 360 | - | - | - | 130 |
NOTE : 上記の材料物性値は代表値です。
これらの値は、材料や工程の改善や変更によって変更されることがあります。
・「KYCM」と「CM360」は京セラ独自の材料コードです。
・「KYCM」は京セラ株式会社の登録商標です。
・ (*) 圧延方向により値が変化する場合があります。
セラミックパッケージに関するお問い合わせは
半導体部品セラミック材料事業本部マーケティング部までご連絡下さい。
TEL 075-604-3652
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