セラミックパッケージ

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RFパワートランジスタ用パッケージ

京セラは、シリコンLDMOS(Laterally Diffused MOS) FET用のパッケージや化合物半導体(GaAs、GaN、SiCなど)のFET/HEMT用パッケージを量産しています。電気抵抗を低減したセラミックフィードスルーや低熱抵抗を実現したヒートシンクで、デバイスの高出力化に対応しています。

お客様のご要望に合わせた各種カスタム品を提供します。標準品もございます。リストをご確認下さい。

標準品リスト(114KB)

ヒートシンク材質

線熱膨張係数(ppm/K)
(RT~400℃)

熱伝導率(W/mK)

かさ密度(g/m3)

硬度(Hv)

引張り強さ(MPa)

ヤング率(GPa)

O.F.H.C.

(無酸素銅)

19.0 391 8.9 80 206 117
CuW 10/90 (%) 7.0 175 16.8 300 882 313
15/85 (%) 7.8 185 16.3 280 843 294
20/80 (%) 8.8 200 15.6 260 784 265
25/75 (%) 9.5 230 14.8 240 686 225
CuMo 35/65 (%) 8.1 * 210 9.7 162 560 208
40/60 (%) 8.5 * 220 9.5 180 608 206
50/50 (%) 10.4 * 260 9.5 150 539 186
60/40 (%) 10.8 * 275 9.4 130 461 157
CPC (141) 7.8 * 200 9.5 - 380 160
CPC (232) 8.8 * 235 9.3 - 350 130
KYCM Cu/Mo/Cu 7.3~10.5 260~310
(垂直方法)
8.9~9.2 - (324) -
CM360 15.5 360 - - - 130

NOTE : 上記の材料物性値は代表値です。
これらの値は、材料や工程の改善や変更によって変更されることがあります。
・「KYCM」と「CM360」は京セラ独自の材料コードです。
・「KYCM」は京セラ株式会社の登録商標です。
・ (*) 圧延方向により値が変化する場合があります。

  • FET (Field Effect Transistor):電界効果トランジスタ
    HEMT (High Electron Mobility Transistor):高電子移動度トランジスタ
    LDMOS (Laterally Diffused MOS):横方向拡散金属酸化膜半導体

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TEL 075-604-3652 半導体部品セラミック材料事業本部マーケティング部 電話受付時間弊社営業日 9:00~17:00

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