RFパワートランジスタ用パッケージ

京セラは、シリコンLDMOS（Laterally Diffused MOS） FET用のパッケージや化合物半導体（GaAs、GaN、SiCなど）のFET/HEMT用パッケージを量産しています。電気抵抗を低減したセラミックフィードスルーや低熱抵抗を実現したヒートシンクで、デバイスの高出力化に対応しています。

お客様のご要望に合わせた各種カスタム品を提供します。標準品もございます。リストをご確認下さい。

標準品リスト（114KB）

ヒートシンク材質

		線熱膨張係数(ppm/K) (RT~400℃)	熱伝導率(W/mK)	かさ密度(g/m3)	硬度(Hv)	引張り強さ(MPa)	ヤング率(GPa)
O.F.H.C. （無酸素銅）		19.0	391	8.9	80	206	117
CuW	10/90 (%)	7.0	175	16.8	300	882	313
	15/85 (%)	7.8	185	16.3	280	843	294
	20/80 (%)	8.8	200	15.6	260	784	265
	25/75 (%)	9.5	230	14.8	240	686	225
CuMo	35/65 (%)	8.1 *	210	9.7	162	560	208
	40/60 (%)	8.5 *	220	9.5	180	608	206
	50/50 (%)	10.4 *	260	9.5	150	539	186
	60/40 (%)	10.8 *	275	9.4	130	461	157
CPC (141)		7.8 *	200	9.5	-	380	160
CPC (232)		8.8 *	235	9.3	-	350	130
KYCM	Cu/Mo/Cu	7.3~10.5	260~310 （垂直方法）	8.9~9.2	-	(324)	-
CM360		15.5	360	-	-	-	130

NOTE : 上記の材料物性値は代表値です。
これらの値は、材料や工程の改善や変更によって変更されることがあります。
・「KYCM」と「CM360」は京セラ独自の材料コードです。
・「KYCM」は京セラ株式会社の登録商標です。
・ (*) 圧延方向により値が変化する場合があります。

FET (Field Effect Transistor)：電界効果トランジスタ
HEMT (High Electron Mobility Transistor)：高電子移動度トランジスタ
LDMOS (Laterally Diffused MOS)：横方向拡散金属酸化膜半導体

製品に関するお問い合わせは
私たちにお任せください。

TEL 075-604-3652 半導体部品セラミック材料事業本部マーケティング部電話受付時間弊社営業日 9:00～17:00

有機パッケージ