窒化アルミニウム(AlN）は、セラミック材料の中で放熱性が高い材料です。
光通信モジュールの小型化や高集積化に伴い、高出力化が進むレーザーダイオード(LD)の回路基板として窒化アルミニウムは適しており、ニーズも高まっています。
ご要望に合わせて単層・多層、多様な形状や構造設計も対応可能です。
特長
高放熱
高い電気絶縁性
Siに近い熱膨張係数
高い設計自由度
高周波特性
ファインピッチ
セラミックスが持つ材料特性により、高出力への対応を可能に
サブマウントに使用する窒化アルミニウム(AlN)は非常に高い熱伝導率を持ち、高出力の素子を使用しても効率よく放熱させることが可能です。
また、高い電気絶縁性を備えていることや、半導体素子材料（Si）に近い熱膨張係数を持つため加熱時にかかる応力が少ないことから、半導体レーザーの信頼性を向上させます。
※酸化アルミニウム（アルミナ, Al2O3）の材料もご提供可能です。
自由度の高い設計
インピーダンス整合を図るために内層グランド形成が可能です。 またグランド層とは別に内層への配線設計も可能です。
小型化・低背化（薄型化）などのご要望にも合わせて形状や構造を設計し、ファインパターン形成の対応も可能です。
【加工例】
- 側面メタライズ
- AuSn加工
- 抵抗（※トリミング可）
- 切削加工など
薄膜基板構造例
