
ミリ波(30~100GHz)対応パッケージ

京セラは、積層セラミック加工技術、異種材料を接合するロウ付け技術などにより、ミリ波パワーアンプやMMICなどのRFデバイスに求められるパッケージを提供しています。
携帯電話基地局や各種無線通信などで求められる高速・大容量データ伝送に対応するため、パッケージの入出力端子は高周波伝送に対応した電気接続端子の最適設計をしています。
また、高出力デバイスからの発熱を効率よく放散させるため、高熱伝導率の金属ヒートスプレッダーをセラミックスに接合することができます。
特長



ミリ波対応表面実装パッケージ

ミリ波MMICなどのRFデバイスをPCB(プリント基板)に表面実装できる小型パッケージを提供しています。
パッケージの入出力端子はミリ波に対応した電気接続端子の最適設計をしています。
RFデバイスの発熱を効率よく放熱させるため高熱伝導率のCuMoヒートスプレッダーをセラミックスに接合しています。

RF-KLCC PKGでは更なる高出力デバイスに対応するため、従来のCuMoヒートスプレッダーに加え、 更なる高放熱材料であるCuヒートスプレッダータイプもご用意しています。
高周波特性測定結果

導波管変換ポート付きパッケージ

入出力インターフェイスに導波管を用いられる場合、ミリ波MMICなどのRFデバイスから低損失で電気信号を伝送できる導波管変換ポートが必要となります。京セラは、導波管変換ポート付きのパッケージを提供しています。
また、RFデバイスの発熱を効率よく放熱させるため高熱伝導率のCuMoヒートスプレッダーをセラミックスに接合しています。

E-Bond帯(71~86Hz)設計の導波管変換ポート高周波特性測定結果



高周波同軸コネクタ付きパッケージ

入出力インターフェイスに同軸ケーブルを用いられる場合にも、ミリ波MMICなどのRFデバイスから低損失で電気信号を伝送できるパッケージを提供しています。
RFデバイスの発熱を効率よく放熱させるため高熱伝導率のヒートスプレッダーをセラミックに接合しています。

