大型単結晶サファイア
製造技術
大型設備を導入し、炉内の構造に改良を加えることで、京セラが約50年にわたって蓄積してきた単結晶サファイア製造技術を活かし、大型サファイアの材料育成と、研削・研磨加工を実現しています。
特長
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超大型品の製造最大サイズ 500mm角(a面)の角板状製品や最大サイズ Φ200mm(c面)の丸板状製品を提供可能※詳細は下方デザインガイド参照
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育成~製品化まで対応大型サファイアの材料育成はもちろん、研削・研磨加工に対応する大型設備と技術を保有し、大型サファイアの製品化まで対応可能
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精密な加工技術大型品であっても、公差±0.1°の面方位制御が可能※面方位公差は部分測定です。
デザインガイド
各製品の最大サイズ
〔単位 mm〕
角板状製品 | |||
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面方位 | a面 | c面 | r面 |
外辺 | □500 | □200 | □500 |
厚み | 5 | 10 | 5 |
角板状製品例
〔単位 mm〕
丸板状製品 | |||
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面方位 | a面 | c面 | r面 |
直径 | Φ500 | Φ200 | Φ500 |
厚み | 10 | 10 | 10 |
丸板状製品例
加工対応
上記サイズ内で、全面研削加工及び片面・両面鏡面加工、ならびに、リング形状・複雑形状品への対応も可能
※各形状における加工可能なサイズにつきましては、ご相談ください。
面方位制御
公差:±0.1°
面方位: a面、c面、r面
※面方位公差は部分測定です。
※他面方位につきましては、ご相談ください。
ウェハー標準仕様
サイズ
〔単位 mm〕
サイズ(inch) | 直径 | 厚み | オリフラ長 |
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2 | Φ50.8±0.25 | (指定なし)±0.025 | 16±3 |
3 | Φ76.2±0.25 | (指定なし)±0.025 | 22±3 |
4 | Φ100±0.25 | (指定なし)±0.025 | 32.5±3 |
5 | Φ125±0.25 | (指定なし)±0.025 | 42.5±3 |
6 | Φ150±0.25 | (指定なし)±0.025 | 57.5±3 |
8 | Φ200±0.25 | (指定なし)±0.025 | 57.5±3 |
形状:SEMIスタンダードへの対応、四角形状も可能
結晶方位:c面/a面/r面/m面 他。オフアングルも可能
表面仕上げ
面粗さ(Ra) | 研削 | 研磨 |
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表面 | ≦1.2㎛ | ≦0.3nm |
裏面 | ≦1.2㎛ | ≦0.3nm |
※数値は参考値であり、保証値ではありません。
※上記以外の形状・仕様についてもお気軽にご相談ください。
サファイアウェハー
加工例
X線回折装置で面方位管理し対応したΦ450mmサイズの大型プレート(写真左)や、マシニングで中ぐりした大型リング(写真中央)、CMPで鏡面加工を施した成膜用基板(写真右)などの加工実績があります。
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大型プレート(全面研削加工)
Φ450×5T(mm)
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大型リング(リング形状加工)
Φ320×φ300×7T(mm)
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成膜用基板(両面鏡面加工)
Φ200×0.725T(mm)
加工工程
大型単結晶サファイア製品の加工プロセスと設備の一例を紹介します。
京セラは、大型品専用の設備を保有し、またその設備を活かす技術力で、お客様のご要望に沿った製品作りを追求しています。
本ページに記載の数値は全て社内測定による代表値であり、製品の仕様を保証する値ではありません。